IRLD110 Транзистор MOSFET N арналы 100V 1A 47ns 1.3W DIP-4

Аспаптың атауы: IRLD110

Транзистордың түрі: MOSFET

Полярлығы: N

Максималды қуат шығыны (Pd): 1.3 W

Шекті рұқсат етілген кернеу ағызу-көзі |Uds|: 100 V

Қақпа көзінің рұқсат етілген шекті кернеуі |Ugs|: 10 V

Шекті қосу кернеуі |Ugs(th)|: 2 V

Максималды рұқсат етілген тұрақты ток ағыны |Id|: 1 A

Арнаның максималды температурасы (Tj): 175 °C

Ысырманың жалпы заряды (Qg): 6.1(max) nC

Көтерілу уақыты (тр): 47 нс

Шығу сыйымдылығы (Cd): 80 pf

Ашық транзистордың (Rds) ағызу көзінің кедергісі: 0.54 Ом

Корпус түрі: HD-1

Бағасы мен қолжетімділігін +7 (727) 261-64-29 телефоны арқылы тексеріңіз