HGTG11N120CND
Атауы: HGTG11N120CND
Транзистордың түрі: IGBT + Diode
Таңбалануы: 11N120CND
Басқару арнасының түрі: N
Максималды қуат шығыны (дана), Вт: 298
Коллектор-эмитенттің рұқсат етілген шекті кернеуі |Vce|, V: 1200
Эмитент-қақпаның рұқсат етілген максималды кернеуі |Vge|, V: 20
Коллектордың максималды тұрақты тогы |Ic| @25℃, A: 43
Коллектор-эмитенттің қанығу кернеуі типтік |VCE(sat)|, V: 2.1
Қақпа-эмитенттің максималды шекті кернеуі |VGE(th)|, V: 6.8(typ)
Өтудің максималды температурасы (Tj), ℃: 150
Көтерілу уақыты типтік (tr), nS: 12
Ысырманың жалпы заряды (Qg), typ, nC: 100
Корпус түрі: ТО247