Сайт жасау Satu.kz-те

Сайт работает в тестовом режиме.

DELTACHIP
Жұмыс кестесі
  • Дүйсенбі
    09:0018:00
  • Сейсенбі
    09:0018:00
  • Сәрсенбі
    09:0018:00
  • Бейсенбі
    09:0018:00
  • Жұма
    09:0018:00
  • Сенбі
    Демалыс
  • Жексенбі
    Демалыс
Байланыс нөмірлері
+7 (727) 272-87-24
№1 LED, R, Varta, конденсаторы
+7 (727) 272-97-98
№2 Инструмент, автоматика, разъем
+7 (727) 261-03-04
№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
DeltaChip
пр. Сейфуллина 534/92 Почтовый индекс A05A6M5, Алматы, Қазақстан
info@deltachip.kz
  • №1 WhatsApp LED, Аккумуляторы , резисторы Подробне+7 747 272 87 24
  • №2 WhatsApp Инструмент, автоматика, шнуры, разъем+7 707 272 97 98
  • №4 WhatsApp Блоки питания, Микросхемы, транзистры+7 707 261 03 03
+7 (727) 272-87-24
+7 (727) 272-97-98
+7 (727) 261-03-04

SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT [TO-3P]\Silan IGBT N+D 600V 80A 290W

1 400 ₸

  • Бар
  • Коды:SGT40N60N TO-247
SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT [TO-3P]\Silan IGBT N+D 600V 80A 290W
SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT [TO-3P]\Silan IGBT N+D 600V 80A 290WБар
1 400 ₸
+77272729798
  • +7 (727) 272-87-24
    №1 LED, R, Varta, конденсаторы
  • +7 (727) 272-97-98
    №2 Инструмент, автоматика, разъем
  • +7 (727) 261-03-04
    №4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
+77272729798
  • +7 (727) 272-87-24
    №1 LED, R, Varta, конденсаторы
  • +7 (727) 272-97-98
    №2 Инструмент, автоматика, разъем
  • +7 (727) 261-03-04
    №4 Блоки питания,Микросхемы,Тран

Тапсырыс беру тек телефон арқылы

Сипаттама

SGT40N60NPFDPN — бұл қуатты IGBT|транзистор ( Insulated Gate Bipolar Transistor) Hangzhou Silan Microelectronics өндірілген қуатты қуат көздерінде, 60B В кернеуі бар тоқ ағымын қоса алғанда қолданған өнім өндірушіге арналған, барлық өнім өндіруші мен өндіруші үшін қажетті өнім үлгісі; өнім өндіруші ұйым мен пайдалану шартты шартын бекітуші ұйым қолданса; өнім үшін оның нақты сипаты мен = такиео = такие қозғалтқыштарды басқару жүйелері.

📌 Негізгі сипаттамасы

  • Толық атауы: SGT40N60NPFDPN Field Stop IGBT

  • Өндіруші: Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.

  • Корпус: TO|3P (қуатты транзисторларға арналған пластикалық корпус)

  • Типі: Field Stop технологиясы, кірістірілген тез қалпына келтіру диодымен IGBT

⚙️ Техникалық сипаттамалары

Параметрі Маңызы
Коллектор-эмиттер (VCE) ең жоғары кернеу 600 В
Ең жоғары кернеу жабынды-эмиттер (VGE) |20 В
Коллектордың номиналды тоғы (TC = 25 °C) 80 А
Коллектордың номиналды тоғы (TC = 100 °C) 40 А
Коллектордың импульсті тоғы (ICM) 120 А
VCE(sat) қанықтыру кернеуі |1.8 В кезінде IC = 40 А
Ең жоғары шашыраңқы қуаты (PD, TC = 25 °C) 290 Вт
Жылу кедергісі өтпе-корпус (RthJC) |0.43 °C/Вт
Өту температурасының диапазоны (TJ) – 55...+175 °C
Сақтау ауқымы (Tstg) – 55...+175 °C
Ерекшеліктер Жүргізу кезіндегі төмен жоғалтулар, тез ауыстырып қосу, жоғары жылулық төзімділік

🔧 Қолдану ерекшеліктері

  • Индукциялық қыздыру

  • Үздіксіз қоректендіру көздері (UPS)

  • Импульстік қоректену көздері (SMPS)

  • Қуат коэффициентін (PFC) түзету

  • Дәнекерлеу аппараттары мен моторлы жетектер

📑 Ескертулер

  • Технология Field Stop IGBT өткізгіштік кезінде төмен шығын мен ауыстырып қосудың жоғары жылдамдығы арасындағы теңгерімді қамтамасыз етеді.

  • Кіріктірілген жылдам қалпына келтіру диод индуктивті жүктемелермен жұмыс кезінде тиімділікті арттырады.

  • Корпус TO|3P транзисторды жақсы жылу бұрғышы бар қуатты схемаларда пайдалануға мүмкіндік береді.

Тапсырыс туралы ақпарат
  • Бағасы: 1 400 ₸