- Дүйсенбі09:0018:00
- Сейсенбі09:0018:00
- Сәрсенбі09:0018:00
- Бейсенбі09:0018:00
- Жұма09:0018:00
- СенбіДемалыс
- ЖексенбіДемалыс
![Транзистор N-MOSFET 100В 120/180А 370Вт 0.0045Ом [TO-220.]\ Infineon](https://images.satu.kz/237656735_w640_h640_tranzistor-n-mosfet-100v.jpg)
Транзистор N-MOSFET 100В 120/180А 370Вт 0.0045Ом [TO-220.]\ Infineon
900 ₸
- Бар
- Коды:IRFB 4110 TO-220
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
IRFB4110PBF — это мощный N‑канальный MOSFET транзистор (HEXFET® Power MOSFET) от Infineon/International Rectifier, рассчитанный на напряжение 100 В и ток до 180 А, с очень низким сопротивлением канала (3,7–4,5 мΩ). Он применяется в источниках питания, UPS, высокочастотных преобразователях и схемах синхронного выпрямления.
⚙️ Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | N‑Channel HEXFET® Power MOSFET |
| Корпус | TO‑220AB (3 вывода) |
| Vds (макс.) | 100 В |
| Id (25 °C, кремний ограничен) | 180 А |
| Id (100 °C) | 130 А |
| Id (ограничение по корпусу) | 120 А |
| Id (импульсный) | 670 А |
| Rds(on) | 3,7 мΩ (тип.), 4,5 мΩ (макс.) при Vgs = 10 В, Id = 75 А |
| Vgs (макс.) | ± 20 В |
| Vgs(th) | 2,0 – 4,0 В |
| Qg (заряд затвора) | ~150 нКл |
| Pd (рассеяние мощности) | 370 Вт при Tc = 25 °C |
| Диапазон температур | –55 … +175 °C |
| EAS (энергия лавины) | 190 мДж |
| dv/dt (пиковое восстановление диода) | 5,3 В/нс |
| Тепловое сопротивление RθJC | 0,402 °C/Вт |
| RθJA | 62 °C/Вт |
🔧 Особенности
-
Очень низкое сопротивление канала → минимальные потери при больших токах.
-
Высокая токовая нагрузка (до 180 А) → подходит для мощных преобразователей.
-
Улучшенная стойкость к dv/dt и лавинным режимам → надёжность в тяжёлых условиях.
-
RoHS совместимость, без свинца и галогенов.
📘 Применение
-
SMPS (импульсные источники питания) — синхронное выпрямление.
-
UPS (источники бесперебойного питания).
-
Высокоскоростные ключи и преобразователи.
-
Жёстко переключаемые и высокочастотные схемы.
🔁 Аналоги и замены
| Модель | Vds | Id | Rds(on) | Примечание |
|---|---|---|---|---|
| IRFB4115PBF | 150 В | 104 А | 11 мΩ | Более высокое напряжение |
| IRFB3207PBF | 75 В | 180 А | 3,2 мΩ | Более низкое напряжение, меньшее сопротивление |
| IRFB4227PBF | 200 В | 65 А | 36 мΩ | Для высоковольтных схем |
📌 Важно: модель IRFB4110PBF официально переведена в статус End of Life (устаревшая) и будет снята с производства. Для новых разработок рекомендуется использовать современные MOSFET серии Infineon OptiMOS или аналоги с более низким зарядом затвора и улучшенной тепловой характеристикой.
| Негізгі | |
|---|---|
| Өндіруші | Infineon |
| Қосымша сипаттамалары | |
| Жағдайы | Жаңа |
- Бағасы: 900 ₸