SS8050‑D — это кремниевый NPN‑транзистор общего назначения в корпусе TO‑92, предназначенный для усиления и коммутации сигналов в аудио‑, радиочастотных и импульсных цепях. Он обеспечивает ток коллектора до 1,5 А, мощность до 1 Вт и граничную частоту до 190 МГц, что делает его популярным в маломощных усилителях и блоках питания.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | Биполярный транзистор NPN |
| Материал | Кремний (Si), эпитаксиальный |
| Корпус | TO‑92 (пластиковый, трёхвыводной) |
| Макс. рассеиваемая мощность (Pc) | 1 Вт |
| Макс. ток коллектора (Ic) | 1,5 А |
| Макс. напряжение коллектор‑база (VCBO) | 40 В |
| Макс. напряжение коллектор‑эмиттер (VCEO) | 25 В |
| Макс. напряжение эмиттер‑база (VEBO) | 5–6 В |
| Температура перехода (Tj) | до 150 °C |
| Температура хранения (Tstg) | –65 … +150 °C |
| Коэффициент передачи тока (hFE) | 85 – 300 (при IC = 100 мА, VCE = 1 В) |
| Граничная частота (fT) | 100 – 190 МГц |
| Напряжение насыщения коллектор‑эмиттер (VCE(sat)) | ≤ 0,5 В (при IC = 800 мА, IB = 80 мА) |
| Напряжение насыщения база‑эмиттер (VBE(sat)) | ≤ 1,2 В |
| Ёмкость выхода (Cob) | ≈ 9 пФ (при VCB = 10 В, f = 1 МГц) |
| Сопротивление тепловое (RθJA) | ≈ 125 °C/Вт |
🔧 Особенности
Высокий коэффициент усиления и низкое напряжение насыщения — подходит для усилителей и ключевых схем.
Комплементарная пара — PNP‑транзистор SS8550, часто используется в паре для двухтактных усилителей.
RoHS‑совместим, без свинца и галогенов.
Надёжная работа в диапазоне температур –40 … +150 °C.
Усилители звуковой частоты (класс B push‑pull).
Ключевые цепи в импульсных источниках питания.
Радиочастотные усилители и модуляторы.
Универсальные маломощные электронные устройства.
| Модель | Производитель | Тип | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|
| SS8550‑D | MCC / Onsemi | PNP | TO‑92 | Комплементарный аналог |
| 2N2222A | STMicroelectronics | NPN | TO‑92 | Близкие параметры, ниже ток |
| BC337‑40 | Nexperia | NPN | TO‑92 | Более высокий hFE, но меньше Ic |
💡 Примечание
SS8050‑D часто используется в радиоэлектронных схемах Китая и Юго‑Восточной Азии как универсальный усилительный транзистор. Для точного подбора замены ориентируйтесь на Ic ≥ 1,5 А, VCEO ≥ 25 В, hFE ≈ 160 и fT ≥ 100 МГц.