IRFH5110 Транзистор MOSFET N арналы 100V 11A 10ns 3.6W PQFN5X6

Аспаптың атауы: IRFH5110

Транзистордың түрі: MOSFET

Полярлығы: N

Максималды қуат шығыны (Pd): 3.6 W

Шекті рұқсат етілген кернеу ағызу-көзі |Uds|: 100 V

Қақпа көзінің рұқсат етілген шекті кернеуі |Ugs|: 20 V

Шекті қосу кернеуі |Ugs(th)|: 4 V

Максималды рұқсат етілген тұрақты ток ағыны |Id|: 11 A

Арнаның максималды температурасы (Tj): 150 °C

Ысырманың жалпы заряды (Qg): 54 nC

Көтерілу уақыты (tr): 9.6 ns

Шығу сыйымдылығы (Cd): 324 pf

Ашық транзистордың (Rds) ағызу көзінің кедергісі: 0.0124 Ом

Корпус түрі: PQFN5X6