STGW60V60DF Транзистор IGBT N+DIOD канальный 600V 60A 375W 2.15V порогTO-247

Наименование: STGW60V60DF

Тип транзистора: IGBT

Маркировка: GW60V60DF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 20

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 280

Тип корпуса: TO247

Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29