1 600 ₸
IHW20N120R3 — это мощный IGBT‑транзистор Infineon на 1200 В и 20 А, предназначенный для резонансных и мягких коммутационных приложений. Он отличается низким VCE(sat), высокой надежностью и встроенным диодом, что делает его оптимальным для инверторов, сварочного оборудования и бытовой электроники.
Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с обратной проводимостью
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO‑247 (PG‑TO247‑3)
Особенности:
Технология TRENCHSTOP™ Field Stop для снижения потерь
Встроенный монолитный диод с низким прямым напряжением
Высокая термостабильность и возможность параллельного включения
Низкий уровень электромагнитных помех (EMI)
Соответствие стандартам JEDEC, RoHS
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Макс. напряжение коллектор‑эмиттер (VCE) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 20 А |
| VCE(sat) при 25°C | ~1.48 В |
| Макс. температура перехода (Tvjmax) | 175 °C |
| Макс. рассеиваемая мощность | 310 Вт |
| Структура | N‑канал + встроенный диод |
| Маркировка | H20R1203 |
| Корпус | TO‑247 |
🔧 Применение
Индукционные плиты и СВЧ‑печи (инверторные)
Резонансные преобразователи
Сварочные аппараты
Источники бесперебойного питания (UPS)
Электроприводы и инверторные системы
Диод предназначен только для мягкой коммутации — при жесткой коммутации возможны повышенные потери.
Параллельное включение возможно благодаря положительному температурному коэффициенту VCE(sat).
Тепловой режим требует качественного охлаждения, особенно при работе в диапазоне токов выше 15 А.