IRF1010NPBF MOSFET
Наименование прибора: IRF1010NPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 76 ns
Выходная емкость (Cd): 690 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO-220