IRF9530N MOSFET
Наименование прибора: IRF9530N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58(max) nC
Время нарастания (tr): 58 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: ТО220АВ