325 ₸
IRLZ44NPBF‑HXY — это мощный N‑канальный MOSFET транзистор в корпусе TO‑220, рассчитанный на работу при напряжении до 60 В и токах до 60 А. Он отличается низким сопротивлением канала (Rds(on) ≈ 0.02 Ω) и высокой рассеиваемой мощностью (до 120 Вт), что делает его подходящим для силовых ключей и импульсных источников питания.
Тип: N‑Channel Power MOSFET
Корпус: TO‑220
Производитель: HXY MOSFET
Назначение: силовые ключи, преобразователи, драйверы моторов, блоки питания
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Uds (макс. напряжение сток‑исток) | 60 В |
| Id (макс. ток стока) | 60 А |
| Pd (макс. рассеиваемая мощность) | 120 Вт |
| Rds(on) (сопротивление канала) | 20 мΩ @ Vgs=10 В |
| Vgs(th) (пороговое напряжение затвора) | ~4 В |
| Qg (заряд затвора) | ~39 нКл @ Vgs=10 В |
| Ciss (входная ёмкость) | ~4050 пФ |
| Coss (выходная ёмкость) | ~430 пФ |
| Tj (рабочая температура перехода) | −55…+150 °C |
🔧 Особенности
Logic‑Level Gate Drive → управление от низковольтных логических сигналов.
Низкое сопротивление канала → сниженные тепловые потери.
Высокая скорость переключения → подходит для импульсных источников питания и драйверов моторов.
Широкий диапазон температур → надёжность в промышленных и бытовых условиях.
Силовые ключи в преобразователях и источниках питания.
Моторные драйверы (управление двигателями постоянного тока).
Инверторы и преобразователи энергии.
Системы «умный дом» и промышленная автоматика.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |