IRFH5110 Транзистор MOSFET N канальный 100V 11A 10ns 3.6W PQFN5X6

Наименование прибора: IRFH5110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 54 nC

Время нарастания (tr): 9.6 ns

Выходная емкость (Cd): 324 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0124 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29