IRFB38N20DPBF MOSFET
Наименование прибора: IRFB38N20DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
Тип корпуса: TO-220