IRFD110 Транзистор MOSFET N канальный 100V 1A 16ns 1.3W DIP-4

Наименование прибора: IRFD110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.3(max) nC

Время нарастания (tr): 16 ns

Выходная емкость (Cd): 81 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm

Тип корпуса: HD-1

Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29