IKW75N65EH5
Наименование: IKW75N65EH5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K75EEH5
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 33
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 160
Тип корпуса: TO-247