GT30J127
Наименование: GT30J127
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 25
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Тип корпуса: TO-220SIS