400 ₸
Наименование прибора: IRF530N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37(max) nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: ТО220АВ
Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |