DELTACHIP
График работы
- ПонедельникВыходной
- ВторникВыходной
- Среда10:0018:00
- Четверг10:0018:00
- Пятница10:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
Контакты
+7 (727) 272-87-24
+7 (727) 272-97-98
+7 (727) 261-03-04
IRF630N Транзистор MOSFET N канальный 200V 9.3A TO-220
250 ₸
- Нет в наличии
- Код: IRF 630N
IRF630N Транзистор MOSFET N канальный 200V 9.3A TO-220Нет в наличии
250 ₸
+77272610304
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
Описание
Характеристики
Наименование прибора: IRF630N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 89 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 89 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 250 ₸