IRFP90N20D MOSFET
Наименование прибора: IRFP90N20D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 580 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 160 ns
Выходная емкость (Cd): 1070 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO 247