- Понедельник09:0018:00
- Вторник09:0018:00
- Среда09:0018:00
- Четверг09:0018:00
- Пятница09:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]\Toshiba](https://images.satu.kz/192111569_w640_h640_gt50jr22sta1es-tranzistor-igbt.jpg)
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]\Toshiba
2 450 ₸
- В наличии
- Код: GT 50JR22 TO-247
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
GT50JR22 — это силовой IGBT транзистор Toshiba 6,5‑го поколения с интегрированным диодом (RC‑IGBT), предназначенный для работы в токорезонансных инверторах. Он отличается высокой скоростью переключения, низким напряжением насыщения и допустимой рабочей температурой до 175 °C.
📘 Основное описание
-
Тип: Дискретный N‑канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
-
Особенность: RC‑IGBT — встроенный свободновращающий диод (FWD) в одном кристалле
-
Применение: Токорезонансные инверторы, схемы мягкого переключения
-
Корпус: TO‑3P(N), 3 вывода (Gate, Collector, Emitter)
-
Начало производства: март 2012 г.
⚙️ Технические характеристики
Абсолютные максимальные значения (Ta = 25 °C)
| Параметр | Обозначение | Значение |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор‑эмиттер | VCES | 600 В |
| Напряжение затвор‑эмиттер | VGES | ±25 В |
| Ток коллектора (Tc = 25 °C) | IC | 50 А |
| Ток коллектора (Tc = 100 °C) | IC | 44 А |
| Импульсный ток коллектора (1 мс) | ICP | 100 А |
| Ток диода (DC) | IF | 40 А |
| Импульсный ток диода (100 мкс) | IFP | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (Tc = 25 °C) | PC | 230 Вт |
| Рассеиваемая мощность (Tc = 100 °C) | PC | 115 Вт |
| Температура перехода | Tj | до 175 °C |
| Температура хранения | Tstg | –55…175 °C |
| Момент затяжки | TOR | 0,8 Н·м |
Электрические характеристики (Ta = 25 °C)
-
Скорость переключения IGBT: tf = 0,05 мкс (тип.) при IC = 50 А
-
Скорость восстановления диода: trr = 0,35 мкс (тип.) при IF = 15 А
-
Напряжение насыщения VCE(sat): 1,55 В (тип.) при IC = 50 А, VGE = 15 В
-
Прямое напряжение диода VF: ~2,1 В при IF = 15 А
-
Тепловое сопротивление переход‑корпус: Rth(j‑c) = 0,65 °C/Вт
📌 Ключевые особенности
-
Высокоскоростное переключение, подходящее для резонансных схем.
-
Низкое напряжение насыщения → меньше тепловых потерь.
-
Высокая допустимая температура перехода (до 175 °C) → надёжность при тяжёлых режимах.
-
Интегрированный диод снижает количество внешних компонентов.
⚠️ Важные замечания
-
Работа при высоких нагрузках (температура/ток/напряжение) может снижать надёжность даже в пределах допустимых значений.
-
Необходимо тщательно проектировать систему охлаждения, чтобы избежать теплового пробоя.
- Цена: 2 450 ₸