STP80NF70 MOSFET
Наименование прибора: STP80NF70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 98 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 550 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0098 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB