3 000 ₸
Маркировка: 20N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 87 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 780 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO247
Основные | |
---|---|
Производитель | PD |