FGH40N60SFD Транзистор IGBT N канальный 600V 80A TO-247

FGH40N60SFD

Наименование: FGH40N60SFD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 42

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120

Тип корпуса: ТО247