3 600 ₸
Наименование: FGW40N120WD
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 40G120WD
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 360
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 54
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 110
Тип корпуса: ТО247
Аналог (замена) для FGW40N120WD
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |