11 000 ₸
Наименование: IHW30N160R2
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H30R1602
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.35
Тип корпуса: ТО247
Аналог (замена) для IHW30N160R2
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |