BSH201.215 Транзистор MOSFET P канальный 60V 0.3A 0.5W SOT-23-3

BSH201215 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB

• Производитель                                                            NEXPERIA

• Монтаж                                                                         SMD

• Корпус                                                                          SOT23

• Рассеиваемая мощность                                            170мВт

• Полярность                                                                  полевой

• Вид упаковки                                                                бобина

• Вид упаковки                                                                лента

• Характеристики полупроводниковых элементов      logic level

• Заряд затвора                                                              3нC

• Ток стока                                                                       -0,19А

• Вид канала                                                                   обогащенный

• Напряжение сток-исток                                               -60В

• Тип транзистора                                                          P-MOSFET

• Сопротивление в открытом состоянии                      4,25Ом

• Напряжение затвор-исток                                          ±20В

• Вес                                                                               0.013g