250 ₸
Наименование прибора: 3N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |