HGTG11N120CND
Наименование: HGTG11N120CND
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 11N120CND
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 298
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 43
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8(typ)
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 12
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100
Тип корпуса: ТО247