IHW20N135R5
Наименование: IHW20N135R5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H20PR5
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 288
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 43
Тип корпуса: ТО247