1 400 ₸
Наименование: NGD8201A
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.1 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF