1 700 ₸
STP9NK60Z — это мощный N-канальный MOSFET от STMicroelectronics, рассчитанный на 600 В и 7 А, выполненный по технологии SuperMESH™, обеспечивающей низкое сопротивление канала и высокую стойкость к перенапряжениям. Используется в импульсных источниках питания, преобразователях и схемах коммутации.
Тип прибора: N-канальный силовой MOSFET
Технология: SuperMESH™ (оптимизированная структура PowerMESH™)
Производитель: STMicroelectronics
Корпус: TO-220, TO-220FP, D²PAK, I²PAK (в зависимости от исполнения)
Особенности:
Zener-защита затвора
100% avalanche rated (устойчивость к лавинному пробою)
Минимизированный заряд затвора (быстрое переключение)
Очень высокая стойкость по dv/dt
Улучшенная защита от ESD
| Параметр | Значение |
|---|---|
| VDS — напряжение сток-исток | 600 В |
| ID — максимальный ток стока | 7 А |
| RDS(on) — сопротивление канала | 0,85 Ω (тип.), до 0,95 Ω (макс.) |
| VGS — напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Qg — заряд затвора | ~27 нКл |
| EAS — энергия одиночного лавинного импульса | 300 мДж |
| Tj — рабочая температура перехода | –55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 / TO-220FP / D²PAK / I²PAK |
Импульсные блоки питания (SMPS)
Силовые преобразователи
Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC)
Коммутация и управление нагрузкой
Инверторы и драйверы
STP9NK60Z — это MOSFET средней мощности, оптимальный для работы в высоковольтных цепях (до 600 В) и токах до 7 А. Благодаря технологии SuperMESH™ он сочетает низкие потери, высокую скорость переключения и надёжность, что делает его востребованным в источниках питания и силовой электронике.