1 600 ₸
MBQ40T65QES — это мощный IGBT транзистор от Magnachip, выполненный по технологии Field Stop Trench, рассчитанный на 650 В и ток до 40 А (постоянный при 100 °C), с низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах и преобразователях высокой частоты.
Тип прибора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Технология: Field Stop Trench (сниженные потери, высокая скорость переключения)
Производитель: Magnachip Semiconductor
Корпус: TO-247 E (пластиковый корпус для силовых компонентов)
Особенности:
Высокая скорость переключения
Низкие потери мощности
Положительный температурный коэффициент тока (удобно для параллельной работы)
Максимальная температура перехода: 175 °C
| Параметр | Значение |
|---|---|
| VCE — напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| IC (DC, 25 °C) | 80 А |
| IC (DC, 100 °C) | 40 А |
| IC (pulse) | 120 А |
| VCE(sat) — напряжение насыщения | ~1,8 В при IC = 40 А |
| IF (диод прямой ток, 25 °C) | 40 А |
| IF (диод прямой ток, 100 °C) | 20 А |
| IF (pulse) | 120 А |
| VGE — напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| PD (25 °C) — рассеиваемая мощность | 230 Вт |
| PD (100 °C) — рассеиваемая мощность | 115 Вт |
| TJ — рабочая температура перехода | до 175 °C |
Инверторы (солнечные, промышленные)
Сварочные преобразователи
Высокочастотные преобразователи
Источники питания и коррекция коэффициента мощности
MBQ40T65QES — это IGBT средней мощности с оптимальным балансом между током (40–80 А) и напряжением (650 В). Благодаря низкому VCE(sat) и высокой скорости переключения он подходит для силовой электроники, где важны энергетическая эффективность и надёжность.