- ПонедельникВыходной
- Вторник09:0018:00
- Среда10:0018:00
- Четверг10:0018:00
- Пятница10:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
FGA60N65SMD, биполярный транзистор IGBT, 650В, 120А, 600Вт
2 000 ₸
- В наличии
- Код: FGA 60N65SMD TO-247
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
FGA60N65SMD — это мощный IGBT транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с технологией Field Stop, рассчитанный на 650 В и 60 А, оптимальный для применения в инверторах, источниках питания, сварочных аппаратах и системах коррекции коэффициента мощности.
📘 Описание
-
Тип прибора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
-
Технология: Field Stop (сниженные потери при переключении и проводимости)
-
Производитель: ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor)
-
Корпус: TO-3P-3LD (EIAJ SC-65), изолированный
⚙️ Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| VCES — напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| IC — номинальный ток коллектора | 60 А |
| VCE(sat) — напряжение насыщения | ~1,9 В при IC = 60 А |
| VGES — напряжение затвор-эмиттер | ±20 В (постоянное), ±30 В (импульсное) |
| TJ — максимальная температура перехода | 175 °C |
| EOFF — энергия выключения | ~7,5 мДж/А |
| Особенности | Положительный температурный коэффициент, лёгкая параллельная работа, низкие потери, быстрые переключения |
| Экологичность | Pb-Free, RoHS Compliant |
🔧 Применение
-
Солнечные инверторы
-
UPS (источники бесперебойного питания)
-
SMPS (импульсные блоки питания)
-
Сварочные аппараты
-
PFC (коррекция коэффициента мощности)
🛠️ Вывод
FGA60N65SMD — это IGBT средней мощности, сочетающий низкие потери и высокую надёжность. Благодаря рабочему напряжению 650 В и току 60 А он подходит для силовой электроники, где требуется эффективное управление переменным током и минимизация тепловых потерь.
- Цена: 2 000 ₸