150 ₸
IRFZ48NS — это мощный N-канальный MOSFET транзистор HEXFET® от International Rectifier, рассчитанный на ток до 64 А и напряжение сток-исток до 55 В. Отличается низким сопротивлением канала (Rds(on) ≈ 0,014 Ω), высокой скоростью переключения и возможностью работы при температуре до 175 °C.
Наименование: IRFZ48NS
Тип: MOSFET, N-канальный, силовой транзистор
Технология: HEXFET® Power MOSFET
Корпус: D2PAK (Surface Mount) / TO-263
Производитель: International Rectifier
| Параметр | Значение |
|---|---|
| UDS max | 55 В |
| UGS max | ±20 В |
| ID max | 64 А |
| PD max | 130–140 Вт |
| RDS(on) | 0,014 Ω |
| Qg (заряд затвора) | ~54 нКл |
| Coss (выходная емкость) | ~470 пФ |
| tr (время нарастания) | ~78 нс |
| Tj max | 175 °C |
| Термосопротивление | ~1,1 K/Вт |
| Корпус | D2PAK / TO-263 |
💡 Особенности применения
Высокая скорость переключения делает IRFZ48NS удобным для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и ШИМ-драйверов.
Низкое сопротивление канала снижает тепловые потери и повышает эффективность.
Полная устойчивость к лавинному пробою обеспечивает надежность в силовых схемах.
Используется в автомобильной электронике, инверторах, блоках питания, драйверах двигателей.
Для работы на больших токах необходим радиатор или эффективный теплоотвод.
При проектировании учитывайте заряд затвора (Qg), так как он влияет на скорость переключения и требования к драйверу.
Совместим с аналогами серии IRFZ48N, IRFZ48NL, IRFZ48NPbF.