- Понедельник09:0018:00
- Вторник09:0018:00
- Среда09:0018:00
- Четверг09:0018:00
- ПятницаВыходной
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
![SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT [TO-3P]\Silan IGBT N+D 600V 80A 290W](https://images.satu.kz/228233022_w640_h640_sgt40n60npfdpn-tranzistor-igbt.jpg)
SGT40N60NPFDPN, Транзистор IGBT [TO-3P]\Silan IGBT N+D 600V 80A 290W
1 400 ₸
- В наличии
- Код: SGT40N60N TO-247
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
SGT40N60NPFDPN — это мощный IGBT‑транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Hangzhou Silan Microelectronics, рассчитанный на напряжение 600 В и ток до 40 А. Он применяется в источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления двигателями.
📌 Основное описание
-
Полное название: SGT40N60NPFDPN Field Stop IGBT
-
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.
-
Корпус: TO‑3P (пластиковый корпус для мощных транзисторов)
-
Тип: IGBT с технологией Field Stop, встроенным быстрым диодом восстановления
⚙️ Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор–эмиттер (VCE) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор–эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Номинальный ток коллектора (TC = 25 °C) | 80 А |
| Номинальный ток коллектора (TC = 100 °C) | 40 А |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 120 А |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | ~1.8 В при IC = 40 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (PD, TC = 25 °C) | 290 Вт |
| Тепловое сопротивление переход–корпус (RthJC) | ~0.43 °C/Вт |
| Диапазон температур перехода (TJ) | –55…+175 °C |
| Диапазон хранения (Tstg) | –55…+175 °C |
| Особенности | Низкие потери при проводимости, быстрое переключение, высокая тепловая стойкость |
🔧 Особенности применения
-
Индукционный нагрев
-
Источники бесперебойного питания (UPS)
-
Импульсные источники питания (SMPS)
-
Коррекция коэффициента мощности (PFC)
-
Сварочные аппараты и моторные приводы
📑 Примечания
-
Технология Field Stop IGBT обеспечивает баланс между низкими потерями при проводимости и высокой скоростью переключения.
-
Встроенный диод быстрого восстановления повышает эффективность при работе с индуктивными нагрузками.
-
Корпус TO‑3P позволяет использовать транзистор в мощных схемах с хорошим теплоотводом.
- Цена: 1 400 ₸