200 ₸
AO4407A — это мощный P‑канальный MOSFET Alpha & Omega Semiconductor (AOS), рассчитанный на напряжение −30 В и ток до −12 А. Он отличается низким сопротивлением канала (RDS(on)) и малым зарядом затвора, что делает его оптимальным для применения в схемах защиты аккумуляторов, нагрузочных ключах и ШИМ‑управлении.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | P‑Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Корпус | SOIC‑8 |
| Максимальное напряжение VDS | −30 В |
| Максимальное напряжение VGS | ±25 В |
| Номинальный ток (TA=25 °C) | −12 А |
| Номинальный ток (TA=70 °C) | −10 А |
| Импульсный ток (IDM) | −60 А |
| Ток лавинного пробоя (IAR) | −26 А |
| Энергия лавинного пробоя (EAR) | 101 мДж |
| RDS(on) при VGS=−20 В, ID=−12 А | 8.5–11 мΩ |
| RDS(on) при VGS=−10 В, ID=−12 А | 10–13 мΩ |
| RDS(on) при VGS=−6 В, ID=−10 А | 12.7–17 мΩ |
| Падение напряжения диода VF | −0.7…−1 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (TA=25 °C) | 3.1 Вт |
| Диапазон температур (TJ, Tstg) | −55…+150 °C |
| Тепловое сопротивление RθJA (steady state) | 60–75 °C/Вт |
| Заряд затвора Qg (VGS=−10 В, VDS=−15 В, ID=−12 А) | 30–39 нКл |
| Время включения td(on) | ~11 нс |
| Время выключения td(off) | ~40 нс |
🔧 Особенности и преимущества
Низкое сопротивление канала — минимальные потери мощности.
Малый заряд затвора — высокая скорость переключения.
RoHS и Halogen‑Free — соответствует экологическим стандартам.
100% тестирование UIS и Rg — гарантированная надёжность.
Компактный корпус SOIC‑8 — удобен для применения в портативных устройствах.
Системы защиты аккумуляторов (Battery Protection).
Нагрузочные ключи (Load Switch).
Источники питания и DC‑DC преобразователи.
ШИМ‑управление в портативной электронике.