250 ₸
IRLR2905Z — это мощный логический HEXFET® MOSFET от Infineon (ранее International Rectifier), рассчитанный на напряжение 55 В и ток до 42–60 А. Он отличается очень низким сопротивлением канала (RDS(on) ≈ 11–13,5 мΩ) и высокой скоростью переключения, что делает его эффективным для автомобильных и промышленных применений.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | N-Channel HEXFET® Power MOSFET |
| Корпус | D-Pak (TO-252) |
| Макс. напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Макс. ток стока (Id) | 60 А при Tc=25°C (ограничение по кристаллу), 42 А (ограничение по корпусу) |
| Ток при Tc=100°C | 43 А |
| Импульсный ток (Idm) | 240 А |
| RDS(on) | 11–13,5 мΩ при Vgs=10 В, Id=36 А |
| RDS(on) при Vgs=5 В | ~20–22,5 мΩ |
| Пороговое напряжение Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±16 В |
| Мощность рассеяния (Pd) | 110 Вт при Tc=25°C |
| Энергия одиночного лавинного импульса (EAS) | 57–85 мДж |
| Диапазон температур | -55…+175 °C |
| Тепловое сопротивление RθJC | 1,38 °C/Вт |
| Тепловое сопротивление RθJA (PCB) | 40 °C/Вт |
| Заряд затвора (Qg) | 23–35 нКл |
| Скорость переключения | Высокая, подходит для ШИМ и DC/DC преобразователей |
📌 Особенности
Логический уровень управления — открывается при низком напряжении затвора (4,5–5 В), что позволяет использовать напрямую микроконтроллеры.
Очень низкое сопротивление канала — минимальные потери и нагрев.
Высокая надёжность — допускает повторяющиеся лавинные режимы.
Температурная стойкость — до +175 °C.
Применение: автомобильная электроника, DC/DC преобразователи, силовые ключи, моторные драйверы, источники питания.
Для автомобильных систем IRLR2905Z оптимален благодаря низкому RDS(on) и высокой токовой нагрузке.
В импульсных источниках питания и инверторах он обеспечивает высокую эффективность при компактных размерах.
При проектировании важно учитывать теплоотвод — корпус D-Pak требует хорошего охлаждения через плату или радиатор.