400 ₸
IRFD120PBF — это маломощный N-канальный MOSFET в корпусе HVMDIP-4, рассчитанный на напряжение 100 В и ток до 1.3 А. Отличается низким сопротивлением канала (0.27 Ω), быстрым переключением и рабочей температурой до +175 °C.
IRFD120PBF — транзистор семейства HEXFET Power MOSFET (третье поколение), разработанный International Rectifier и выпускаемый Vishay Siliconix.
Назначение: маломощные ключи, драйверы, схемы коммутации.
Корпус: HVMDIP-4 (4-pin DIP), удобный для автоматической вставки и стекирования.
Особенности:
Динамическая стойкость к dV/dt
Повторяющийся лавинный режим
Возможность параллельного включения
Рабочая температура до +175 °C
RoHS совместимость
| Параметр | Значение | Примечание |
|---|---|---|
| Vds (макс.) | 100 В | Напряжение сток-исток |
| Id (25 °C) | 1.3 А | Непрерывный ток |
| Id (100 °C) | 0.94 А | При нагреве |
| Id (пульс.) | 10 А | Импульсный ток |
| Rds(on) | 0.27 Ω | При Vgs = 10 В |
| Vgs (макс.) | ±20 В | Напряжение затвор-исток |
| Qg (заряд затвора) | 16 нКл | Быстрое переключение |
| EAS (энергия лавины) | 100 мДж | Одноимпульсная |
| Pd (рассеяние мощности) | 1.3 Вт | При 25 °C |
| Диапазон температур | -55…+175 °C | Рабочая и хранение |
| Корпус | HVMDIP-4 | Сквозное отверстие |
🔧 Применение
Малые импульсные источники питания
Драйверы и ключи в низковольтных схемах
Автоматизированные системы управления
Схемы, где требуется компактный корпус и низкое сопротивление канала
Ограничение по мощности: всего 1.3 Вт, поэтому транзистор подходит только для маломощных схем.
Температурная устойчивость: до +175 °C, что делает его пригодным для работы в условиях повышенного нагрева.
Статус: модель считается устаревшей (obsolete) и может быть недоступна для заказа у дистрибьюторов.