- Понедельник09:0018:00
- Вторник09:0018:00
- Среда09:0018:00
- Четверг09:0018:00
- Пятница09:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
![IRFB4227PBF, Транзистор N-MOSFET 200В 65/130А 330Вт 0.0197Ом [TO-220AB.]\Infineon](https://images.satu.kz/237656687_w640_h640_irfb4227pbf-tranzistor-n-mosfet.jpg)
IRFB4227PBF, Транзистор N-MOSFET 200В 65/130А 330Вт 0.0197Ом [TO-220AB.]\Infineon
1 000 ₸
- В наличии
- Код: IRFB 4227 TO-220
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
IRFB4227PBF — это мощный N‑канальный HEXFET® MOSFET от Infineon/International Rectifier, рассчитанный на 200 В и токи до 65 А (при 25 °C), с низким сопротивлением канала (≈19,7 мΩ) и высокой скоростью переключения. Он применяется в источниках питания, усилителях класса D (300–500 Вт), схемах PDP sustain и energy recovery.
📘 Описание
IRFB4227PBF — транзистор MOSFET, разработанный по технологии HEXFET® для высокочастотных и мощных приложений. Отличается:
-
Низким зарядом затвора (Qg) → быстрый отклик.
-
Короткими временами включения/выключения → высокая эффективность в преобразователях.
-
Репетитивной лавинной способностью → надежность при перегрузках.
-
Рабочей температурой до +175 °C → повышенная стойкость.
⚙️ Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Макс. напряжение сток‑исток (VDS) | 200 В |
| Типовое напряжение пробоя (Avalanche) | 240 В |
| Макс. ток стока (ID) @ 25 °C | 65 А |
| Макс. ток стока (ID) @ 100 °C | 46 А |
| Импульсный ток (IDM) | 260 А |
| Повторяющийся пик. ток (IRP) | 130 А |
| Сопротивление канала RDS(on) @ VGS=10 В | 19,7–24 мΩ |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3,0–5,0 В |
| Макс. напряжение затвор‑исток (VGS) | ±30 В |
| Полный заряд затвора (Qg) | 70–98 нКл |
| Время задержки включения (td(on)) | 33 нс |
| Время нарастания (tr) | 20 нс |
| Время задержки выключения (td(off)) | 21 нс |
| Мощность рассеяния (PD) @ 25 °C | 330 Вт |
| Мощность рассеяния (PD) @ 100 °C | 190 Вт |
| Тепловое сопротивление переход‑корпус (RθJC) | 0,45 °C/Вт |
| Тепловое сопротивление переход‑окр. среда (RθJA) | 62 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур (TJ) | –40…+175 °C |
| Корпус | TO‑220AB |
🔧 Применение
-
Источники питания и преобразователи (высокочастотные, до 200 В).
-
Усилители класса D (300–500 Вт, полумостовые схемы).
-
Системы PDP sustain и energy recovery.
-
Инверторы и драйверы двигателей.
📌 Вывод
IRFB4227PBF — это надежный MOSFET для мощных и высокочастотных приложений, где важны низкие потери, высокая скорость переключения и устойчивость к перегрузкам. Для новых разработок стоит учитывать, что серия International Rectifier интегрирована в портфель Infineon, и доступны более современные MOSFET OptiMOS с улучшенными параметрами.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
- Цена: 1 000 ₸