220 ₸
2SB772L-P-T60-K — это PNP транзистор средней мощности, применяемый в аудиоусилителях, драйверах реле, стабилизаторах напряжения и DC-DC преобразователях. Он отличается высоким током коллектора (до −3 А), низким напряжением насыщения и комплементарностью к NPN транзистору 2SD882.
Тип: PNP транзистор средней мощности
Технология: Планарная, обеспечивает надежность и высокую производительность
Комплементарный транзистор: 2SD882 (NPN)
Корпус: SOT-32 (TO-126) или SOT-223 (в зависимости от версии)
Применение:
Аудиоусилители мощности
Реле-драйверы
Стабилизаторы напряжения
DC-DC преобразователи
| Параметр | Значение | Единицы |
|---|---|---|
| VCBO (напряжение коллектор-база) | −60 | В |
| VCEO (напряжение коллектор-эмиттер) | −30 | В |
| VEBO (напряжение эмиттер-база) | −5 | В |
| IC (ток коллектора) | −3 | А |
| ICM (пиковый ток коллектора, tP < 5 мс) | −6 | А |
| IB (ток базы) | −1 | А |
| IBM (пиковый ток базы, tP < 5 мс) | −2 | А |
| PTOT (рассеяние мощности при Tc=25°C) | 12.5 | Вт |
| Tj (макс. температура перехода) | 150 | °C |
| Диапазон хранения Tstg | −65…150 | °C |
| Параметр | Условие | Мин | Тип | Макс | Единицы |
|---|---|---|---|---|---|
| ICES (ток отсечки коллектора) | VCE = −60 В | — | — | −10 | μA |
| ICEO (ток отсечки коллектор-эмиттер) | VCE = −30 В | — | — | −100 | μA |
| IEBO (ток отсечки эмиттер-база) | VEB = −5 В | — | — | −10 | μA |
| V(BR)CEO (пробивное напряжение коллектор-эмиттер) | IC = −10 мА | −30 | — | — | В |
| VCE(sat) (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) | IC = −1…−3 А | −0.4 | −0.7 | −1.1 | В |
| VBE(sat) (напряжение насыщения база-эмиттер) | IC = −2 А, IB = −100 мА | — | −1.2 | — | В |
| hFE (коэффициент усиления по току) | IC = −100 мА…−3 А, VCE = −2 В | 30 | — | 300 | — |
| fT (частота перехода) | IC = −100 мА, VCE = −10 В | — | 100 | — | МГц |
Усилители мощности в аудиоаппаратуре
Драйверы реле и стабилизаторы напряжения
DC-DC преобразователи
Общие коммутирующие схемы