FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]\ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU — это мощный IGBT транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства ON Semiconductor (ранее Fairchild), рассчитанный на напряжение 600 В и ток до 60 А. Он выполнен по технологии Field Stop, что обеспечивает низкие потери при проводимости и высокую скорость переключения.

📘 Основное описание

• Полное название: FGH60N60SFDTU-F085 Field Stop IGBT

• Производитель: ON Semiconductor (Fairchild Semiconductor)

• Корпус: TO‑247 (3 вывода)

• Особенности: Field Stop технология, встроенный диод, высокая скорость переключения

• Применение: Автомобильные зарядные устройства, инверторы, преобразователи, PFC, источники бесперебойного питания (UPS), сварочные аппараты

⚙️ Технические характеристики

Абсолютные максимальные значения (Tc = 25 °C)

Электрические характеристики (Tc = 25 °C)

• Пробивное напряжение коллектор‑эмиттер (BVCES): ≥600 В

• Пороговое напряжение затвора VGE(th): 4,0–6,5 В

• Напряжение насыщения VCE(sat): ~2,2–2,3 В при IC = 60 А, VGE = 15 В

• Ток утечки ICES: ≤250 μA при VCE = VCES

• Ток утечки затвора IGES: ≤±400 nA

• Ёмкости:

  • Входная (Cies): ~2820–2940 пФ

  • Выходная (Coes): ~310–350 пФ

  • Обратная передача (Cres): ~100–140 пФ

• Скорость переключения:

  • Задержка включения td(on): ~22–26 нс

  • Время нарастания tr: ~42 нс

  • Задержка выключения td(off): ~150–170 нс

  • Время спада tf: ~60–70 нс

🔧 Особенности применения

• Автомобильные зарядные устройства (AEC‑Q101 квалификация)

• Инверторы и преобразователи

• Системы коррекции коэффициента мощности (PFC)

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• Сварочные аппараты и силовые установки

📑 Примечания

• Технология Field Stop IGBT обеспечивает баланс между низкими потерями и высокой скоростью переключения.

• Корпус TO‑247 позволяет использовать транзистор в мощных схемах с эффективным теплоотводом.

• Для надёжной работы требуется качественная система охлаждения, особенно при токах выше 60 А.