MSG15T65FLT, Транзистор IGBT 650В 15А 182Вт [TO-220]\MASPOWER

MSG15T65FLT — это IGBT‑транзистор от Shenzhen Maspower Semiconductor, рассчитанный на 650 В и 15 А, с корпусом TO‑220 и встроенным быстрым диодом. Он оптимален для инверторов и моторных приводов, обладает высокой надёжностью и рабочим диапазоном температур от –40 до +175 °C.

📌 Основные характеристики

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), Trench Field‑Stop

• Производитель: Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.

• Корпус: TO‑220

• Номинальное напряжение коллектор‑эмиттер (VCE): 650 В

• Максимальный ток коллектора (IC):

  • 30 А при Tc = 25 °C

  • 15 А при Tc = 100 °C

• Импульсный ток коллектора (Icm): 60 А

• Максимальная рассеиваемая мощность: 182 Вт

• Температурный диапазон перехода (Tj): –40…+175 °C

• Напряжение затвор‑эмиттер (VGE): ±20 В

• Встроенный диод: есть (soft recovery, fast)

⚙️ Электрические параметры

• Напряжение пробоя V(BR)CES: ≥650 В

• Напряжение насыщения VCE(sat):

  • 1,65 В при IC = 15 А, Tj = 25 °C

  • 1,90 В при Tj = 150 °C

• Прямое падение напряжения на диоде VF:

  • 1,85–2,30 В при IF = 15 А, Tj = 25 °C

  • ~1,95 В при Tj = 150 °C

• Пороговое напряжение затвора VGE(th): 4,5–6,5 В

• Ток утечки ICES: ≤20 µA при 25 °C; ≤4 мА при 150 °C

• Ёмкости:

  • Входная Cies ≈ 1129 pF

  • Выходная Coes ≈ 57 pF

  • Обратная Cres ≈ 31 pF

• Заряд затвора Qg: ~61 nC

⚡ Динамические характеристики

• Время включения (td(on)): ~19 нс при 25 °C

• Время выключения (td(off)): ~128 нс при 25 °C

• Энергия переключения:

  • Eon ≈ 270 µJ

  • Eoff ≈ 86 µJ

  • ΣEts ≈ 356 µJ

• Время восстановления диода (trr): ~150 нс при 25 °C

• Заряд восстановления Qrr: ~390 nC

📊 Таблица параметров

✅ Итог

MSG15T65FLT — это IGBT‑транзистор средней мощности (650 В, 15 А) с низким напряжением насыщения и встроенным быстрым диодом, что делает его подходящим для инверторов, моторных приводов и источников питания. Отличается высокой надёжностью, компактным корпусом TO‑220 и рабочим диапазоном температур до +175 °C.