2N7000 MOSFET
Наименование прибора: 2N7000
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.4 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: ТО92