DELTACHIP
График работы
- Понедельник09:0018:00
- Вторник09:0018:00
- Среда09:0018:00
- Четверг09:0018:00
- Пятница09:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
Контакты
+7 (727) 272-87-24
+7 (727) 272-97-98
+7 (727) 261-03-04
![2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А 50Вт hFE=100...300 [TO-220F.]\EVVO](https://images.satu.kz/116407215_w640_h640_2sa1837-tranzistor-pnp.jpg)
2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А 50Вт hFE=100...300 [TO-220F.]\EVVO
450 ₸
- В наличии
- Код: 2SA 1837 TO-220
2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А 50Вт hFE=100...300 [TO-220F.]\EVVOВ наличии
450 ₸
+77272729798
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
Описание
2SA1837 — это кремниевый PNP транзистор компании Toshiba, предназначенный для применения в усилителях мощности и драйверных каскадах. Он отличается высоким напряжением коллектор-эмиттер (−230 В) и высокой частотой перехода (до 70 МГц).
📘 Описание
-
Тип: Кремниевый PNP эпитаксиальный транзистор
-
Назначение: Усилители мощности, драйверные каскады
-
Комплементарная пара: 2SC4793 (NPN)
-
Корпус: TO-220F / TO-220
-
Вес: ~1.7 г
⚙️ Абсолютные максимальные характеристики
| Параметр | Значение | Единицы | |
|---|---|---|---|
| VCBO (напряжение коллектор-база) | −230 | В | |
| VCEO (напряжение коллектор-эмиттер) | −230 | В | |
| VEBO (напряжение эмиттер-база) | −5 | В | |
| IC (ток коллектора) | −1 | А | |
| IB (ток базы) | −0.1 | А | |
| PC (Ta=25°C) | 2.0 | Вт | |
| PC (Tc=25°C) | 20 | Вт | |
| Tj (рабочая температура перехода) | 150 | °C | |
| Диапазон хранения Tstg | −55…150 | °C |
📊 Электрические характеристики (Tc = 25°C)
| Параметр | Условие | Мин | Тип | Макс | Единицы | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ICBO (ток отсечки коллектор-база) | VCB = −230 В | — | — | −1.0 | μA | |
| IEBO (ток отсечки эмиттер-база) | VEB = −5 В | — | — | −1.0 | μA | |
| V(BR)CEO (пробивное напряжение коллектор-эмиттер) | IC = −10 мА | −230 | — | — | В | |
| hFE (коэффициент усиления по току) | VCE = −5 В, IC = −100 мА | 100 | — | 320 | — | |
| VCE(sat) (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) | IC = −500 мА, IB = −50 мА | — | — | −1.5 | В | |
| VBE (напряжение база-эмиттер) | VCE = −5 В, IC = −500 мА | — | — | −1.0 | В | |
| fT (частота перехода) | VCE = −10 В, IC = −100 мА | — | 70 | — | МГц | |
| Cob (выходная ёмкость коллектора) | VCB = −10 В, f = 1 МГц | — | 30 | — | пФ |
🔎 Применение
-
Усилители мощности в аудиоаппаратуре
-
Драйверные каскады для комплементарных пар (с 2SC4793)
-
Высокочастотные усилительные схемы благодаря fT = 70 МГц
Информация для заказа
- Цена: 450 ₸