ISL9V3036S3S - IGBT
Наименование: ISL9V3036S3S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 21
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.25
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 2100
Тип корпуса: ТО263