300 ₸
2SC4793 — это кремниевый NPN транзистор фирмы Toshiba, предназначенный для усилителей мощности и драйверных каскадов. Он отличается высоким допустимым напряжением (до 230 В) и высокой частотой перехода (fT ≈ 100 МГц), что делает его подходящим для аудиоусилителей и других высокочастотных применений.
Тип: NPN кремниевый эпитаксиальный транзистор
Назначение: Усилители мощности, драйверные каскады
Комплементарная пара: 2SA1837 (PNP)
Корпус: TO-220F (пластиковый, изолированный)
Вес: ~1.7 г
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 230 | В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 230 | В |
| Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 | В |
| Ток коллектора | IC | до 1 А (пульс) / 0.5 А (пост.) | А |
| Ток базы | IB | 0.1–0.2 | А |
| Рассеиваемая мощность (Tc=25°C) | PC | 20–50 | Вт |
| Температура перехода | Tj | 150 | °C |
| Диапазон хранения | Tstg | −55…+150 | °C |
| Параметр | Условие | Мин | Тип | Макс | Единица |
|---|---|---|---|---|---|
| Ток утечки коллектор-база (ICBO) | VCB=230 В | — | — | 1.0 | μA |
| Ток утечки эмиттер-база (IEBO) | VEB=5 В | — | — | 1.0 | μA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CEO) | IC=10 мА | 230 | — | — | В |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | VCE=5 В, IC=100 мА | 100 | — | 320 | — |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | IC=0.5 А, IB=0.05 А | — | — | 0.5–1.5 | В |
| Напряжение база-эмиттер (VBE) | VCE=5 В, IC=0.5 А | — | — | 1.0–1.5 | В |
| Частота перехода (fT) | VCE=10 В, IC=100 мА | — | 40–100 | — | МГц |
| Выходная ёмкость коллектора (Cob) | VCB=10 В, f=1 МГц | — | 20 | — | пФ |
Используется в аудиоусилителях мощности (часто в паре с 2SA1837).
Подходит для драйверных каскадов в схемах с высоким напряжением.
Благодаря высокой частоте перехода (до 100 МГц) может применяться в схемах, где важна скорость отклика.