Биполярный транзистор BUT12AF
Наименование производителя: BUT12AF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-220