10 000 ₸
FGH60N60SFDTU — это мощный IGBT транзистор ON Semiconductor (ранее Fairchild), рассчитанный на напряжение 600 В и ток до 60 А. Он выполнен по технологии Field Stop, что обеспечивает низкие потери при проводимости и высокую скорость переключения, подходит для инверторов, PFC, UPS и сварочных аппаратов.
Тип: N‑канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Модель: FGH60N60SFDTU-F085
Производитель: ON Semiconductor (Fairchild Semiconductor)
Корпус: TO‑247 (3 вывода)
Особенности: Field Stop технология, встроенный диод, высокая скорость переключения
Применение: Автомобильные зарядные устройства, преобразователи, инверторы, PFC, UPS, сварочные аппараты
| Параметр | Обозначение | Значение |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор‑эмиттер | VCES | 600 В |
| Напряжение затвор‑эмиттер | VGES | ±20 В (±30 В кратковременно) |
| Ток коллектора при Tc = 25 °C | IC | 120 А |
| Ток коллектора при Tc = 100 °C | IC | 60 А |
| Импульсный ток коллектора | ICM | 180 А |
| Рассеиваемая мощность (Tc = 25 °C) | PD | 378 Вт |
| Рассеиваемая мощность (Tc = 100 °C) | PD | 151 Вт |
| Диапазон температур перехода | TJ | –55…+150 °C |
| Температура хранения | Tstg | –55…+150 °C |
| Температура выводов при пайке | TL | 300 °C |
Пробивное напряжение коллектор‑эмиттер (BVCES): ≥600 В
Пороговое напряжение затвора VGE(th): 4,0–6,5 В
Напряжение насыщения VCE(sat): ~2,2–2,3 В при IC = 60 А, VGE = 15 В
Ток утечки ICES: ≤250 μA при VCE = VCES
Ток утечки затвора IGES: ≤±400 nA
Ёмкости:
Входная (Cies): ~2820 пФ
Выходная (Coes): ~350 пФ
Обратная передача (Cres): ~140 пФ
Скорость переключения:
Задержка включения td(on): ~22 нс
Время нарастания tr: ~42 нс
Задержка выключения td(off): ~150–170 нс
Время спада tf: ~60–70 нс
Автомобильные зарядные устройства (AEC‑Q101 квалификация)
Инверторы и преобразователи
Системы коррекции коэффициента мощности (PFC)
Источники бесперебойного питания (UPS)
Сварочные аппараты и силовые установки
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |