4 800 ₸
Наименование: IHW30N110R3
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H30N110R3
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1100
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Тип корпуса: ТО247
Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |