IRF830 Транзистор MOSFET N канальный 500V 4.5A TO-220

Наименование прибора: IRF830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 120 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: ТО220